Qualcomm giới thiệu Snapdragon 835 quy trình 10nm và sạc nhanh Quick Charge 4.0

Qualcomm vừa chính thức giới thiệu sơ bộ thông số của Snapdragon 835, con chip sẽ xuất hiện trên hầu hết các smartphone Android cao cấp trong năm 2017. Ngoài ra, hãng cũng đã cập nhật công nghệ sạc nhanh Quick Charge lên phiên bản 4.0.

Theo trang công nghệ PhoneArena, giống như Snapdragon 820 trước đó, Snapdragon 835 tiếp tục là kết quả của sự hợp tác giữa Qualcomm và Samsung. Snapdragon 835 sẽ được sản xuất trên tiến trình 10 nm FinFET của Samsung. Điều này cho phép vi xử lý này có kích thước nhỏ hơn 30% nhưng lại có hiệu suất cao hơn 27% và sử dụng năng lượng hiệu quả hơn 40% so với chip Snapdragon 820 vốn được sản xuất trên tiến trình 14 nm trước đó.

Bên cạnh Snapdragon 835, Qualcomm cũng giới thiệu phiên bản 4.0 mới của công nghệ sạc nhanh Quick Charge nổi tiếng. Qualcomm cho biêt Quick Charge 4.0 có tốc độ sạc nhanh hơn 20%, hiệu suất cao hơn 30% và mát hơn 5 độ C so với Quick Charge 3.0. Cụ thể, Quick Charge 4.0 có khả năng sạc từ 0 đến 50% pin chỉ trong vòng 15 phút. Ngoài ra, Quick Charge 4.0 cũng hỗ trợ các kết nối mới như USB Type-C và USB Power Delivery (USB-PD).

Qualcomm cũng nhấn mạnh rằng Quick Charge 4.0 được bổ sung thêm các biện pháp bảo vệ an toàn cho người dùng như giám sát điện áp, giám sát dòng điện và giám sát nhiệt độ với 4 mức cảnh báo. Ngoài ra, Quick Charge 4.0 cũng có khả năng tự động nhận biết loại và chất lượng của cáp sạc, một bước quan trọng để điều chỉnh dòng điện vào pin sao cho phù hợp.

Bên cạnh đó, công nghệ Battery Saver trên Quick Charge 4.0 cũng đã được cập nhật, cho phép pin trên smartphone sẽ vẫn giữ được tới 80% hiệu suất sau 500 lần sạc hay nói cách khác là tăng tuổi thọ pin.

Slogan được Qualcomm dành cho Quick Charge 4.0 là "5 phút sạc pin sẽ cho bạn thêm 5 giờ sử dụng điện thoại nữa". Dự kiến, Quick Charge 4.0 sẽ bắt đầu có mặt trên các smartphone từ nửa đầu năm 2017.

Nguyễn Long