Qualcomm Snapdragon 450 ra đời: Sạc 80% pin trong 35 phút

Thứ năm - 29/06/2017 10:13

Qualcomm Snapdragon 450 được sản xuất trên quy trình 14nm FinFET dành cho smartphone và máy tính bảng, tăng cường hỗ trợ camera kép và kết nối mạng LTE tốc độ cao.

Trong khuôn khổ Hội nghị Di động Thế giới Thượng Hải 2017 (Mobile World Congress Shanghai), Qualcomm đã công bố nền tảng di động Snapdragon 450 - thành viên mới thuộc gia đình Snapdragon 400.

Qualcomm đã giới thiệu Snapdragon 450.

Được dành riêng cho điện thoại thông minh và máy tính bảng tầm trung, Snapdragon 450 là thành viên đầu tiên của dòng Snapdragon 400 sử dụng quy trình 14nm FinFET. Sản phẩm được giới thiệu là giúp cải thiện đáng kể về thời lượng pin, đồ họa và khả năng tính toán, xử lý hình ảnh cũng như kết nối LTE so với thế hệ Snapdragon 435 trước đó.

Nền tảng di động Snapdragon 450 tập trung cải tiến 4 nhóm chức năng nổi bật so với thế hệ tiền nhiệm:

CPU và GPU được cải tiến

CPU kiến trúc ARM với 8 nhân Cortex 53 có hiệu năng cao hơn, tăng 25% khả năng tính toán so với thế hệ tiền nhiệm. Bên cạnh đó, GPU Qualcomm Adreno 506 được tích hợp cũng cho khả năng xử lý đồ họa tăng 25% so với Snapdragon 435.

Thời lượng pin

Các cải tiến về quản lý điện năng trên Snapdragon 450 được giới thiệu là sẽ giúp tăng 4 giờ sử dụng so với Snapdragon 435, và giảm 30% tiêu hao điện năng khi chơi game . Snapdragon 450 cũng hỗ trợ công nghệ Qualcomm Quick Charge 3.0 - công nghệ giúp sạc một chiếc điện thoại thông minh thông thường từ 0 đến 80% pin chỉ trong vòng 35 phút.

Camera và đa phương tiện

Snapdragon 450 là thành viên đầu tiên thuộc dòng 400 hỗ trợ hiệu ứng bokeh (bokeh) theo thời gian thực (live bokeh). Snapdragon 450 cũng được thiết kế để cải thiện khả năng chụp ảnh so với các thế hệ trước, với sự hỗ trợ camera kép nâng cao 13MP + 13MP hoặc đến 21MP đối với camera đơn. Nó giúp quay video Full HD (1080p) và phát lại với tốc độ lên đến 60fps và hỗ trợ hiệu ứng quay chậm (slow-motion). Snapdragon 450 cũng hỗ trợ màn hình Full HD (1.920 x 1.200 pixels).

Kết nối và USB

Người dùng sẽ được trải nghiệm kết nối LTE tốc độ cao nhờ modem Snapdragon X9 LTE. Modem này sử dụng công nghệ gộp sóng mang 2x20MHz cho cả hai đường tải xuống và tải lên cho tốc độ tối đa lần lượt 300Mbps và 150Mbps. Snapdragon 450 cũng là vi xử lý đầu tiên thuộc dòng 400 có hỗ trợ USB 3.0, cho tốc độ truyền dữ liệu qua USB nhanh hơn trước.

Được biết, các thiết bị thương mại sử dụng Snapdragon 450 sẽ được tung ra vào quý 3 năm 2017, và nền tảng này sẽ được phổ biến trên các thiết bị dành cho người dùng vào cuối năm nay.